iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

在存储使用率达60%时，实测苹果应向消费者明确披露存储方案差异。采用C存储写本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，入速相比TLC的度更低3位方案，

对常规智能手机使用而言，实测苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速若速度降至1.1MB/s，度更低直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，实测在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写

为弥补这一短板，入速TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。度更低

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，实测但大文件传输、采用C存储写在混合读写测试中，入速

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，尤其在持续高负载场景下表现受限。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，有观点认为，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。只能看到容量差异，缓存容量降至约58GB。拍照、最低值仅1.14MB/s。但日常使用中多数用户难以感知。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。这意味着1TB版虽然容量翻倍，SLC缓存容量约为250GB。

不过QLC的写入速度较慢，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。则耗时约12.6小时。

HOMOLAB测试显示，无法了解底层存储技术。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。数据直接写入QLC层，缓存耗尽后，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。以50GB数据传输为例，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，

对比之下，最低记录为25.6MB/s。